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三星电子首席时间官兼半导体研究所长处于6月30日在DS（器件处分决议）部门里面谋略评释会上示意炒股配资开户_股票杠杆官方注册，HBM4E的可靠性测试良率已升迁至70%以上。
业界时时将80%以上视为工艺褂讪的"熟谙良率"门槛，而HBM4E现在仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被合计记号着成立进度隆重投入褂讪区间。
与此同期，他在归拢时事浮现，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在时间竞争力上已赢得对竞争敌手的上风，并瞎想于本年11月完成坐褥准备认证（PRA）。
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